什麼是鈣鈦礦發光二極體(PeLED)

鈣鈦礦發光二極體(Perovskite LED;PeLED)是一種使用金屬鹵化物鈣鈦礦(Perovskite)材料作為發光層(EML)的發光二極體。這些鈣鈦礦材料具有ABX的結構,其中"A"是單價陽離子(如Cs、MA或FA),"B"是二價陽離子(如Pb²或Sn²),而"X"則是鹵離子(如Cl、Br或I)。PeLEDs以其優異的光電子特性聞名,包括高光致發光量子產率(Photoluminescence Quantum Yield;PLQY)、窄發射線寬、及溶液製程的特徵,使其成為下一代顯示和照明技術的有力候選者。

PeLEDOLED的差異

OLED(有機發光二極體)依賴有機材料作為其發光層,但 PeLED 則使用鈣鈦礦化合物。這一關鍵差異帶來了各種不同的特性:

特性 PeLED OLED
發光材料 使用金屬鹵化物鈣鈦礦(例如CsPbBrMAPbBr) 使用有機分子或聚合物 (例如 Ir(ppy)₃, Alq₃).
發光層的結構 擁有ABX₃結構, 其中A為單價陽離子,B為二價金屬,X為鹵素 僅由 有機分子層構成, 多為無特殊晶格的無晶型結構
發光機制 發光依賴於電流注入產生的激子,於發光層中再結合而發光 發光依賴於電流注入產生的激子於發光層中再結合而發光
製造方法 可使用低成本的溶液製程,例如旋塗和噴墨印刷 需要多層有機材料沉積,通常採用真空蒸鍍製程,成本較高
穩定性 對濕氣、氧氣、紫外線敏感,易發生退化 穩定性較好,但藍色材料壽命較短

PeLED的優勢與應用

優勢:

高亮度與高效率PeLED 在綠色與紅色波長範圍內表現出卓越的亮度和外部量子效率(EQE)。研究顯示,PeLED 的 EQE 可達 30%以上,亮度最高可達 470,000 cd/m²。

  1. 色純度與可調性鈣鈦礦材料可精確調整能隙,帶來高色純度,使 PeLED 非常適合用於高品質的彩色顯示。
  2. 溶液製程能力PeLED 可使用低成本的溶液製程方法製作,例如旋塗和噴墨印刷,非常適合大規模生產。
應用:
  1. 高品質顯示器:由於其亮度與色純度,PeLED 非常適合用於高色彩準確度的顯示器,如電視、智慧手機和高端顯示設備。
  2. 照明應用PeLED 的高亮度使其在新一代照明技術中展現出潛力,尤其適合紅色與綠色光範圍的照明應用。

 

材料比較

對於 PeLEDs:
  1. 發光層材料:FAPbBr3, MAPbBr3, CsPbBr3,等
    作用:這些材料能實現高效綠色與紅色發光,具備卓越的色純度,非常適合顯示作用。

  2. 電子傳輸層 (ETL) 材料:PO-T2T, 4PACz(摻雜劑), PCBM, TPBi, PFN, Alq3, Bphen, B3PyPPM, B3PyMPM, TiO2, 等.
    作用:增強電子注入並減少重組損失,提升整體裝置效率。

  3. 電洞傳輸層 (HTL) 材料:Poly-TPD, PVK, TFB, PEDOT:PSS,等
    Function:促進電洞傳輸與電荷平衡,提升裝置性能並延長壽命。

對於OLED:
  1. 發光層材料:Ir(ppy)3, Alq3, TADF emitters, phosphorescent dyes
    作用:用於電視、智慧型手機及可穿戴設備中,以其明亮色彩與高效率著稱。

  2. Electron Transport Layer (ETL) MaterialsTPBi, Bphen, C60, 等等
    作用:提高電子遷移率與裝置穩定性,降低能耗。

  3. Hole Transport Layer (HTL) MaterialsSpiro-OMeTAD, NPB, PEDOT:PSS
    作用:增強電洞注入、改善裝置效率並提升顯示亮度。

 

未來展望

PeLED與OLED各自擁有光明的未來。OLED因其優異的靈活性與影像品質已成為手機、平板、電視等消費性電子產品的主流技術。而PeLED則憑藉其優越的效率與可調發光特性,正逐漸成為OLED的有力競爭者。目前研究正集中於解決PeLED的穩定性問題以及實現高效穩定的藍光發射,這將有助於推動PeLED的廣泛商業應用。隨著持續的技術進展,PeLED有望在下一代顯示器、照明等領域中發揮重要作用,甚至在市場上與OLED展開競爭或相互補充。

 

 

補充參考

Lee, J., Xie, Z., Wang, L., & Hou, J. (2024). Advancements in Interfacial Engineering for Perovskite Light-Emitting Diodes. Chemistry – A European Journal, 30, e202400372.
Xiong, W., Tang, W., Zhang, G. et al. Controllable p- and n-type behaviours in emissive perovskite semiconductors. Nature 633, 344–350 (2024).